从热压到混合，HBM的封装之战：韩国厂商的内战与全球设备新格局
随着AI计算快速发展，高带宽存储（HBM）已成标配。HBM的根本优势，在于将DRAM芯片垂直堆叠，缩短数据传输路径，提升带宽密度。当前的主流封装技术——热压键合（TCB），通过加热与加压将芯片之间的微小凸点（如锡球）连接起来，但这项技术已逐渐逼近物理极限。
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HBM封装迎新变！混合键合“震撼登场”，半导体厂商暗战升级
尤其是在AI算力暴涨的这两年，谁能把芯片堆叠得更高、贴合得更紧、传输得更快，谁就能把握未来。这背后其实是一项叫“混合键合”的技术正在悄悄改变局面。
HBM封装订单已追加到明年
全球存储市场景气呈现明显回温态势，市场预测第四季度DRAM与NAND合约价有望上涨15%-20%，DDR4现货价也同步走强，市场库存正快速去化。
HBM的另一场内战
当前，HBM芯片已成为AI计算的标配，其核心优势源于DRAM芯片的垂直堆叠结构。现阶段，主流的芯片堆叠技术为热压键合（TCB）。该技术通过热量与压力，将带有微小凸点（如锡球或铜柱）的DRAM芯片逐层精密连接。
9月来涨超50%，下周美光的财报，市场需要“强劲的HBM叙事”
巴克莱在最新报告中表示，NAND闪存业务的暂时性复苏以及高带宽内存(HBM)市场份额的长期上升轨迹，将推动美光股价在财报发布后表现强劲。
华为曝AI芯片大招，搭载自研HBM！全球最强算力超节点和集群赢麻了
今日，在华为全联接大会2025开幕式上，华为副董事长、轮值董事长徐直军发表主题演讲，公布华为昇腾AI芯片4年5款产品路线图，并正式发布全球最强算力超节点和集群。
韩美半导体预计HBM混合键合机将于2027年开售
晶圆厂设备制造商韩美半导体预计，其混合键合机将于2027年开启销售之旅。其首席财务官Mave Kim于周三，在位于仁川的公司总部召开的股东大会上透露，针对高带宽内存（HBM）生产的混合键合机销售预计在2027年启动，而面向片上系统（SoC）生产的混合键合机销售
HBM碰壁了，一场由CPU巨头引发的降级疑云，悄然席卷着半导体行业
一场由GPU巨头英伟达引发的内存“降级”疑云，正悄然席卷整个半导体行业，当所有人以为AI的军备竞赛只会通往更昂贵、更尖端的HBM（高带宽内存）时，英伟达却甩出了一张王炸——全新的RubinCPXGPU，它搭载的竟然是GDDR7内存。
“HBM之父”：HBF可能成为人工智能未来的决定性因素
被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调，当前的人工智能瓶颈在于内存
存储芯片+HBM：10大核心公司梳理！
存储芯片：专注NAND Flash主控芯片研发，产品覆盖固态硬盘等，为存储设备提供核心控制支持。
美股HBM连续暴涨60%，AI存储三龙头——迎来戴维斯双击！
大家好，我是山丘 —— 在 A 股公司研究里摸爬滚打十几年的老炮。咱们不玩虚头巴脑的理论，只聊能落地的公司逻辑：哪家基本面藏着机会，哪些风险要提前避开，怎么从细节里揪出真龙头…
HBM内存短缺成中国AI芯片发展致命瓶颈 国内企业严重依赖以前库存
中国人工智能产业正面临一个意想不到的技术瓶颈：高带宽内存技术的严重短缺正在阻碍其AI加速器产业的发展进程。尽管华为等本土企业在AI芯片设计方面取得显著进展，但根据SemiAnalysis最新报告显示，中国AI芯片制造商对进口HBM内存的严重依赖已成为制约整个产
HBM，另一场混战
SEMECS、韩华半导体和韩美半导体三家公司在高带宽存储器（HBM）核心半导体设备TC键合机（TC Bonder）的竞争中处于白热化阶段，目前正加速混合键合机的量产准备工作，预计该设备将从第六代HBM（HBM4）生产开始部分采用。三星电子和SK海力士已进行HB
HBF即将崛起，与HBM并行发展
据韩国媒体Thelec报导，韩国科学技术院（KAIST）电机工程系教授 Kim Joung-ho（在韩国媒体中被誉为“HBM 之父”）表示，高带宽闪存（High Bandwidth Flash，HBF）有望成为下一代 AI 时代的重要存储技术，将与高带宽内存（
HBM，前所未见
然而，HBM 仍然是一种高端内存技术，且不易实现。随着 NVIDIA 加速 GPU 开发，标准也难以跟上。这意味着，定制化对于 HBM 能否继续受益于 GPU 和加速器的广泛应用至关重要。
突破内存技术封锁！中国长江、长鑫联手，加速本土HBM布局
目前高带宽内存（HBM）已经成为存储市场一个极大的热点，因为AI芯片的热度，HBM内存几乎成为了存储厂商利润最高的一个领域，无论是三星、海力士还是美光，在这部分都加大了投入，希望在未来利用产能的优势获得更多的市场份额。对于国内存储厂商而言，尽管一直也在HBM内
长江存储进军DRAM领域：与长鑫存储联手，目标HBM市场
长江存储（YMTC）正在向DRAM领域扩张，探索与长鑫存储（CXMT）合作，以高带宽存储器（HBM）市场为目标。目前HBM是数据中心最热门的组件之一，两者联手将推动HBM产品开发，减少国内对三星、SK海力士和美光三大原厂的依赖。
长江存储、长鑫存储首次联手：剑指HBM内存！
长江存储正积极准备进入DRAM内存领域，并寻求与长鑫存储合作，共同攻克HBM内存技术难关。
内存巨头，“命门”被紧握
韩国在DRAM 和 NAND 闪存等内存产品领域成绩斐然，处于世界领先地位。然而，在半导体产业链的关键环节 —— 材料供应方面，韩国却面临着严峻的现实，其对日本的依赖程度颇深。消息人士发出警告，倘若韩国不能加快实现半导体材料的本土化供应，这种依赖极有可能成为韩
国盛证券：重视HBM、3D DRAM、定制化存储机遇 中国厂商有望实现弯道超车
国盛证券发布研报称，随着AI算力需求爆发，HBM(高带宽内存)已成为DRAM市场增长的核心驱动力，预计全球市场规模将从2024年的170亿美元飙升至2030年的980亿美元，年复合增长率达33%。3DDRAM技术通过垂直化架构突破传统制程极限，有望成为长期解